| 发明名称 | 分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，包括由氧化膜形成的p型衬底；在所述p型衬底上形成的n-漂移区；在所述n-漂移区上形成两个阳极、一个阴极和一个栅极；在所述两个阳极之间形成的p+漂移区和n+缓冲区，在所述阳极和阴极之间形成的p+分流器结构；在所述阴极和栅极之间构成n+阴极区、p+阴极区和p-基区。本实用新型公开的分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，加大了闩锁电流密度，使击穿电压高出现有的通用横向沟槽绝缘栅双极型晶体管的击穿电压，并可使用更高的电流密度和正向电压，获得更好的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN205159332U | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201520767126.1 | 申请日期 | 2015.09.30 |
| 申请人 | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 | 发明人 | 赵喜高 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人 | 廉红果;温洁 |
| 主权项 | 一种分流器结构型横向沟槽电极绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括由氧化膜形成的p型衬底；在所述p型衬底上形成的n‑漂移区；在所述n‑漂移区上形成两个阳极、一个阴极和一个栅极；在所述两个阳极之间形成的p+漂移区和n+缓冲区，在所述阳极和阴极之间形成的p+分流器结构；在所述阴极和栅极之间构成n+阴极区、p+阴极区和p‑基区。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1 | ||