一种智能卡封装框架的电镀方法

摘要

一种智能卡封装框架的电镀方法，属于电子信息技术领域。其特征在于：本发明将成型框架进行前处理之后再在框架接触层电镀1.8~2.2μm厚的镍层，再在镍层的基础上电镀0.4~0.8μm的磷镍合金层，之后再在框架接触面的磷镍合金层外电镀0.009~0.05μm厚的金层。本发明提高了产品接触表面的耐磨性和抗腐蚀性。本发明可以减少硬金的厚度，并取消后处理的使用，大大节约成本。

主权项

一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于，接触层电镀工艺步骤为：1.1、前处理：对成型框架的铜面进行表面清洗，除去铜面上的油脂和杂质；使用活化盐对铜面做活化处理，除掉铜面表面的氧化物；1.2、镀镍：在接触层的铜面上电镀1.8~2.2μm厚的镍层；1.3、镀磷镍：在接触层的镍层上电镀0.4~0.8μm的磷镍合金层；1.4、镀金：在接触层的磷镍合金层上再电镀金层；焊接层铜面上电镀总厚5±2μm的镍层与磷镍合金层，再在磷镍合金层上电镀0.3±0.1μm 厚的金层；所述的步骤1.3镀磷镍的具体工艺条件为在镍层上电镀0.4~0.8μm的磷镍合金层，电镀药水成分为氨基磺酸镍90~110g/L，氯化镍35~45g/L，硼酸35~40g/L，质量分数15~25%的亚磷酸溶液45~55ml/L，温度为50~55℃，pH=1.3~1.7，电流密度控制在5~15ASD；所述的步骤1.4镀金具体工艺为：1.4.1预镀金：对接触层进行预镀金，控制预镀金药水的pH=3.6~4.2，温度40~45℃；浸渍时间6~15s，电流密度0.1~0.8ASD；1.4.2镀硬金：在接触层的磷镍合金层上电镀厚度为0.0125~0.05μm的硬金层，控制药水成分中金含量4~6g/L，Co含量在0.85~1.1g/L，控制pH=4.2~5.0，温度为55~65℃，浸渍时间7~20s，电流密度0.18~0.72ASD；镀软金：在焊接层的磷镍合金层上电镀厚度为0.3±0.1μm的软金层，控制药水成分中金含量7~9g/L；控制pH=5.5~6.5，温度为60~65℃，浸渍时间5~15s，电流密度为2.5~5ASD。