发明名称 |
一种瓦片状型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种瓦片状型波纹式太阳能电池多晶硅基片及其制造工艺,太阳能电池硅基片包括多晶硅基底片本体,所述硅基片本体表面为瓦片状型波纹式非平面结构,呈条状顺序排列。它的制造工艺为:利用常压化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为瓦片状型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积,且当光从不同角度入射都有直射面,达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。 |
申请公布号 |
CN103746018B |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201410028013.X |
申请日期 |
2014.01.21 |
申请人 |
南通大学 |
发明人 |
仲蓓鑫;曾凤;程实;王强;邓洁 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种瓦片状型波纹式太阳能电池多晶硅基片的制造工艺,其特征在于:包括如下步骤:步骤一、非晶硅掩蔽层淀积:将开有条状顺序排列的框形窗口的丝网置于平板型硅基片表面,利用常压化学气相沉积法,淀积非晶硅,在多晶硅基片的表面形成条状顺序排列的瓦片状型非晶硅掩蔽层;步骤二、化学腐蚀:将硅基片的表面浸到酸腐蚀溶液中,经过化学腐蚀处理,使多晶硅基片的表面最终形成条状顺序排列的瓦片状型非平面结构。 |
地址 |
226019 江苏省南通市啬园路9号 |