| 发明名称 | 具有多层柔性衬底的非平面半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明描述了具有多层柔性衬底的非平面半导体器件以及制造这种非平面半导体器件的方法。例如，半导体器件包括布置在半导体衬底上方的半导体鳍状物。半导体鳍状物具有由第一半导体材料组成的下部部分以及由第二半导体材料组成的上部部分，该第一半导体材料具有第一晶格常数(L1)，该第二半导体材料具有第二晶格常数(L2)。包覆层布置在半导体鳍状物的上部部分上，而非下部部分上。包覆层由具有第三晶格常数(L3)的第三半导体材料组成，其中L3>L2>L1。栅极叠置体布置在包覆层的沟道区上。源极区/漏极区布置在沟道区的两侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN105493251A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201380078868.7 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·T·卡瓦列罗斯;M·拉多萨夫列维奇;M·V·梅茨;H·W·田;B·舒-金;V·H·勒;N·慕克吉;S·达斯古普塔;R·皮拉里塞泰;G·杜威;R·S·周;N·M·泽利克;W·拉赫马迪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体鳍状物，所述半导体鳍状物布置在半导体衬底上方，所述半导体鳍状物具有包含第一半导体材料的下部部分，并且具有包含第二半导体材料的上部部分，所述第一半导体材料具有第一晶格常数(L1)，所述第二半导体材料具有第二晶格常数(L2)；包覆层，所述包覆层布置在所述半导体鳍状物的所述上部部分上，但没有布置在所述半导体鳍状物的所述下部部分上，所述包覆层包含第三半导体材料，所述第三半导体材料具有第三晶格常数(L3)，其中，L3>L2>L1；栅极叠置体，所述栅极叠置体布置在所述包覆层的沟道区上；以及源极区/漏极区，所述源极区/漏极区布置在所述沟道区的两侧上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||