| 摘要 |
본 발명에서는 서브스트레이트의 양품 유닛과 인터포저의 양품 유닛이 서로 대응되도록 구별하여 제조함으로써 생산 수율의 증가, 자재의 낭비 및 제조 비용을 최소화할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스가 개시된다. 일 예로, 반도체 다이가 접속되어 유닛을 이루고, 상기 반도체 다이의 외측에 도전 필라가 형성된 서브스트레이트를 준비하는 서브스트레이트 준비 단계; 상기 서브스트레이트의 반도체 다이 및 도전 필라를 몰딩하고, 상기 도전 필라와 인터포저를 전기적으로 접속하는 몰드 및 인터포저 접속 단계; 상기 서브스트레이트에 솔더 볼을 접속하는 솔더 볼 접속 단계; 및 상기 서브스트레이트를 쏘잉하여 다수의 반도체 다이를 각각 하나의 반도체 디바이스로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 개시된다. |
