| 摘要 |
리튬계 출발 기재의 자유 면을 통해 상기 기재와 산인 제1 전해질 간에 양성자를 교환하여, 깊이 e1까지 상기 기재의 리튬 이온을 10％ 내지 80％의 비율로 양성자로 대체하는, 양성자 교환 단계, 상기 자유 면을 통해 상기 기재와 제2 전해질 간에 양성자를 역교환하여, 제1 깊이 e1 미만의 제2 깊이 e2까지 적어도 거의 모든 양성자를 리튬 이온으로 대체하고 상기 양성자 교환 단계 동안 혼입된 양성자가 여전히 존재하는 깊이 e1과 깊이 e2 사이의 중간층을 생성하고, 여기서, 깊이 e2는 상기 자유 면과 중간층 사이의 박층으로 규정되는 것인, 양성자 역교환 단계, 상기 중간층을 취약화시키는데 적합한 조건하에 열 처리를 수행하는 단계 및 상기 중간층에서 기재의 나머지 부분으로부터 상기 박막의 분리를 일으키기에 적합한 분리 단계 를 포함하는, 리튬계 출발 기재로부터 박층을 이동시키는 방법이 개시된다. |
