| 摘要 |
본 발명은 핀 다이오드의 제조방법 및 이를 이용한 엑스레이 디텍터의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 핀 다이오드의 제조방법은, 하부전극과, 상기 하부전극의 상부에 P층, I층, N층으로 구성된 핀 구조물 및 상기 핀 구조물의 상부에 형성되는 상부전극을 포함하는 핀 다이오드의 제조방법에 있어서, 하부전극층을 형성하고, 상기 하부전극층을 식각하여 상기 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극의 상부에 상기 핀 구조물 형성을 위한 핀(PIN)층과, 상기 핀(PIN)층 상부에 상기 상부전극 형성을 위한 상부전극층을 적층하는 단계; 상기 상부전극층 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 상부전극층을 식각하여 상부전극으로 형성하는 단계; 상기 핀(PIN)층을 식각하여 상기 핀 구조물을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상부전극의 가장자리 부분을 식각하는 단계; 및, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함한다. 이에 의하여, 핀 다이오드의 상부전극의 크기를 핀 다이오드의 크기와 대응되는 크기로 형성가능하여 핀 다이오드의 필 팩터가 최대화 가능하여, 동일량의 가시광선에서 전기 신호 변환량을 최대로 할 수 있고, 상부전극 적층시 고온으로 적층하여 상부전극의 들뜸현상이 방지될 수 있는 핀 다이오드의 제조방법 및 이를 이용한 엑스레이 디텍터의 제조방법이 제공된다. |
