Method of fabricating graphene using molecular beam epitaxy

摘要

분자빔 에피탁시 방법을 이용한 그라핀 제조방법이 개시된다. 개시된 분자빔 에피탁시 방법을 이용한 그라핀 제조방법은, 분자빔 에피탁시 챔버에 기판을 장착하고, 상기 챔버 내의 온도를 대략 500-860 ℃로 유지하고, 10Torr 이하의 고진공 상태를 유지한 상태에서, 상기 챔버 내에서, 기판 상에 탄소 소스를 공급하여 상기 기판 상에 그라핀층을 형성한다.