具有薄缓冲层的III-V族基材及其制备方法

摘要

板，其包括具有一上表面的III-V族材料及覆盖在基板之上表面且厚度不大于约1.3微米的缓冲层。其中，形成在基板上的多个光电器件，在约400奈米到约550奈米发光波长的范围内，具有不大于0.0641奈米/平方公分的归一化的发光波长的标准偏差。

主权项

一种基板，其包括：包括III-V族材料且具有上表面的主体；以及包含邻接于该主体之该上表面的III-V族材料的缓冲层，其中，该缓冲层具有至少约0.1微米到不大于约0.8微米之范围的平均厚度，其中该基板被设置用来提供一表面，使多个光电器件形成覆盖在该缓冲层上，该多个光电器件在约400奈米到约550奈米发光波长的范围内，具有不大于约0.0641奈米/平方公分的归一化的(normalized)发光波长的标准偏差(nσ)。