超级接面功率元件之主动晶胞结构及其制造方法

摘要

明系揭露一种超级接面功率元件之主动晶胞结构至少包含具有第一导电类型之基板；位于基板上之具有第一导电类型之磊晶层；位于磊晶层中之沟槽；具有第一导电类型之第一掺杂区，位于磊晶层中且邻接沟槽之底部；具有第二导电类型之第二掺杂区，位于该磊晶层中且邻接沟槽之侧壁；位于沟槽中之第一氧化层；位于磊晶层上之闸极导电层；位于磊晶层中之具有第二导电类型之离子井，且部分接触第二掺杂区之顶面及闸极导电层之底面；第二氧化层覆盖闸极导电层且露出沟槽及部分离子井；以及源极导电层覆盖第二氧化层、离子井及沟槽。

主权项

一种超级接面(superjunction)功率元件之主动晶胞(active cell)结构，包含：具有一第一导电类型之一基板；具有该第一导电类型之一磊晶层，位于该基板上；一沟槽，位于该磊晶层中；具有该第一导电类型之一第一掺杂区，位于该磊晶层中且邻接该沟槽之底部；具有一第二导电类型之一第二掺杂区，位于该磊晶层中且邻接该沟槽之侧壁；一第一氧化层，位于该沟槽中；一闸极导电层，位于该磊晶层上；具有该第二导电类型之一离子井，位于该磊晶层中且部分接触该第二掺杂区之顶面及该闸极导电层之底面；一第二氧化层，覆盖该闸极导电层且露出该沟槽及部分该离子井；以及一源极导电层，覆盖该第二氧化层、该离子井及该沟槽。