| 发明名称 |
用于制造鳍式场效电晶体装置之化学机械平坦化方法 |
| 摘要 |
明系关于一种平坦化方法，其包括在第一化学机械抛光步骤中将半导体晶圆平坦化，以去除覆盖层并将顶层平坦化，在下层上方留下一厚度的顶层物质。在第二化学机械抛光步骤中将顶层物质平坦化，以进一步去除顶层，并将第二物质及第三物质的下层暴露，以使顶层物质对第二物质、对第三物质的选择比介于约1:1:1至约2:1:1，以提供平坦的形貌。 |
| 申请公布号 |
TWI529791 |
申请公布日期 |
2016.04.11 |
| 申请号 |
TW100146573 |
申请日期 |
2011.12.15 |
| 申请人 |
国际商业机械公司;ＪＳＲ股份有限公司 |
发明人 |
张 乔瑟芬;康明斯 杰森;吉罗恩 麦可;胡卡 路卡斯;科里 迪尼奇;克里南 马哈德维耶;罗法洛 麦可;那拉科斯基 贾库伯;潘尼加拉帕提 迪尼奇;查恩斯 莱斯利;金野智久;野田昌宏;山中达也 |
| 分类号 |
H01L21/304(2006.01);H01L29/772(2006.01);C09K3/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种平坦化的方法，其包含：在第一化学机械抛光步骤中将半导体晶圆平坦化，以去除覆盖层并将顶层平坦化，在下层上方留下一厚度的顶层物质；及在第二化学机械抛光步骤中将顶层物质平坦化，以进一步去除顶层，并将第二物质及第三物质的下层暴露，以使顶层物质对第二物质、对第三物质的选择比介于约1：1：1至约2：1：1，以提供平坦的形貌，其中在第二化学机械抛光步骤中将该顶层物质平坦化，包括供应浆料至抛光桌，作为在该抛光桌上混合的二种成份。
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| 地址 |
美国;日本 |
