| 发明名称 | 电子发射源及其制备方法 | ||
| 摘要 | 明涉及一种电子发射源，包括：一第一电极、一绝缘层及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，其中，所述第一电极为一奈米碳管复合结构，该奈米碳管复合结构包括一奈米碳管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述奈米碳管层与所述绝缘层之间。本发明还提供一种电子发射源的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | TWI529768 | 申请公布日期 | 2016.04.11 |
| 申请号 | TW103106197 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 柳鹏;李德杰;张春海;周段亮;杜秉初;范守善 |
| 分类号 | H01J1/30(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J29/04(2006.01) | 主分类号 | H01J1/30(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种电子发射源，包括：一第一电极、一绝缘层及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，其改进在于，所述第一电极为一奈米碳管复合结构，该奈米碳管复合结构包括一奈米碳管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述奈米碳管层与所述绝缘层之间。 | ||
| 地址 | 新北市土城区自由街2号 | ||