| 发明名称 |
具有微机械麦克风构造的构件 |
| 摘要 |
具有微机械麦克风构造的构件(10)，该构件系在一半导体基材(1)上做成层状构造且至少包含：-- 膜构造(2)，具有一声波活性的膜(11)，其中该膜构造(2)系在该半导体基材(1)上方一膜层中形成且至少跨越过该基材背侧中的一声音开口(13)的一部分；-- 一个位在基材那一侧的过负荷保护件以保护该膜构造；及-- 固定之可通过声波的对立元件(14)，它在该膜层上方的该层构造中形成，其中：该膜构造(2)设计成向外突出的延续部(17)，该延续部(17)突伸超出该声音开口(13)的边缘区域，因此该声音开口(13)呈该膜构造(2)的朝向基材那一侧的止挡部的功能。另一构件(20)的方式系在该声音开口(23)的边缘区域形成梁式的构造元件(27)，该构造元件一直突出到该膜构造(2)下方，因此该梁式构造元件(27)呈该膜(21)之朝基材那一侧的止挡部的功能。
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| 申请公布号 |
TWI530158 |
申请公布日期 |
2016.04.11 |
| 申请号 |
TW101126438 |
申请日期 |
2012.07.23 |
| 申请人 |
罗伯特博斯奇股份有限公司 |
发明人 |
卓林 尤亨;雷梅尔 法兰兹;达利 麦可 |
| 分类号 |
H04N15/00(2006.01);H04R19/04(2006.01) |
主分类号 |
H04N15/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种具有微机械麦克风构造的构件，该构件系在一半导体基材(1)上做成层状构造且至少包含：--膜构造(20)，具有一声波活性的膜(11)，其中该膜构造(2)系在该半导体基材(1)上方一膜层中形成且至少跨越过该基材背侧中的一声音开口(13)的一部分；--一个位在朝基材那一侧的过负荷保护件以保护该膜构造；及--固定之可通过声波的对立元件(14)，它在该膜层上方的该层构造中形成，其特征在：该膜构造(2)设计成向外突出的延续部(17)，该延续部(17)突伸超出该声音开口(13)的边缘区域，因此该声音开口(13)呈该膜构造(2)的朝向基材那一侧的止挡部的功能。
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| 地址 |
德国 |
