具有串联互连之磁性随机存取记忆体单元之记忆体装置

摘要

明揭示一种记忆体装置，该记忆体装置包含串联地电连接之磁性随机存取记忆体(「MRAM」)单元，该等MRAM单元之各者具有一储存磁化方向及一感测磁化方向。在一写入操作期间，该等MRAM单元之多者系藉由切换该等MRAM单元之该等储存磁化方向而平行地写入。在一读取操作期间，该等MRAM单元之一特定者系藉由相对于该等MRAM单元之该特定者之该储存磁化方向改变该等MRAM单元之该特定者之该感测磁化方向而读取。

主权项

一种记忆体装置，其包括：复数个磁性随机存取记忆体(MRAM)单元，其等串联地电连接以允许一共同电流流动通过各该MRAM单元，该等MRAM单元之各者具有一储存磁化方向及一感测磁化方向；其中在一写入操作期间，该等MRAM单元之多者经组态以藉由切换该等MRAM单元之该等储存磁化方向而平行地写入，且其中在一读取操作期间，该等MRAM单元之一特定者经组态以藉由相对于该等MRAM单元之该特定者之该储存磁化方向改变该等MRAM单元之该特定者之该感测磁化方向而读取，且其中该等MRAM单元之多者经组态以被该共同电流加热以准备该写入操作。