半导体装置的制造方法、程式及基板处理装置

摘要

明的课题是在于效率佳地除去淋浴头内的副生成物，抑制微粒发生。
其解决手段是以能具有下列工程的方式构成半导体装置的制造方法，成膜工程，其系经由淋浴头来供给成膜气体及惰性气体至处理室内的基板上，在前述基板上形成膜；及堆积膜除去工程，其系于前述处理室内无基板的状态中，将比在前述成膜工程时供给的前述惰性气体更低温度的惰性气体供给至前述淋浴头，藉此除去藉由前述成膜工程来堆积于前述淋浴头内的堆积膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征系具有：(a)成膜工程，其系经由淋浴头来供给成膜气体及惰性气体至处理室内的基板上，在前述基板上形成膜；及(b)堆积膜除去工程，其系于前述处理室内无基板的状态中，将比前述淋浴头的温度更低温度的惰性气体供给至前述淋浴头，藉此除去藉由前述成膜工程来堆积于前述淋浴头内的堆积膜。