| 发明名称 |
磁记录膜用溅镀靶及其制造方法 |
| 摘要 |
磁记录膜用溅镀靶，含有SiO2，X射线绕射时石英之(011)面之波峰强度相对于背景强度之比(石英波峰强度/背景强度)为1.40以上。本发明之课题在于获得一种于靶中抑制会导致溅镀时产生颗粒(particle)之白矽石的形成且可缩短预烧时间、可将成膜后之单一磁性区域粒子加以磁性精细分离、可提升记录密度的磁记录膜用溅镀靶。 |
| 申请公布号 |
TWI529257 |
申请公布日期 |
2016.04.11 |
| 申请号 |
TW100138764 |
申请日期 |
2011.10.26 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 |
发明人 |
荻野真一;奈良淳史;高见英生 |
| 分类号 |
C23C14/34(2006.01);G11B5/851(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种磁记录膜用溅镀靶，含有SiO2，X射线绕射时石英之(011)面之波峰强度相对于背景强度之比(石英波峰强度/背景强度)为1.40以上。
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| 地址 |
日本 |
