发明名称 | 二次组态记忆体装置之错误更正码方法与装置 | ||
摘要 | 明提出一种操作用于储存对应于资料之错误更正码(error correcting code,ECC)之记忆体装置的的方法。该方法包括在第一编程操作期间针对对应资料写入延伸错误更正码,延伸错误更正码包括错误更正码以及从错误更正码导出之延伸位元。该方法包括,将错误更正码设定为在第一编程操作之前之初始错误更正码状态;在第一编程操作期间,计算错误更正码,假如所计算之错误更正码等于预定状态,则将错误更正码改成初始错误更正码状态;以及假如该错误更正码等于该初始错误更正码状态,则将该延伸位元改成一初始值。该方法包括读取包括延伸位元与针对对应资料之错误更正码的延伸错误更正码,并决定是否要将使用该延伸错误更正码之错误更正码逻辑致能。 | ||
申请公布号 | TWI529735 | 申请公布日期 | 2016.04.11 |
申请号 | TW103126835 | 申请日期 | 2014.08.06 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄世昌;陈耕辉;洪俊雄 |
分类号 | G11C29/42(2006.01) | 主分类号 | G11C29/42(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;叶璟宗 | |
主权项 | 一种用以操作一储存对应于资料之错误更正码之记忆体装置的方法,包括:在一第一编程操作期间写入一对应于资料之延伸错误更正码,该延伸错误更正码包括一错误更正码以及从该错误更正码导出之一延伸位元;以及在该第一编程操作之后的第二编程操作期间,使用一预定状态来覆写包括该延伸位元与该错误更正码之该延伸错误更正码,以表示该第二编程操作。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |