| 发明名称 |
ＮＡＮＤ快闪记忆单元、操作方法与读取方法 |
| 摘要 |
NAND快闪记忆单元、操作方法与读取方法。此NAND快闪记忆单元包括多个闸极层、一通道层、一电荷捕捉层、一导体层与一第二介电层。这些闸极层中相邻的两个闸极层之间包括一第一介电层。通道层、电荷捕捉层、导体层与第二介电层会贯穿这些闸极层。电荷捕捉层是配置在通道层与闸极层之间，并且第二介电层是配置在导体层与通道层之间。藉此，抹除速度会被提升，电荷补捉层可以被修复，并且闸极层的控制能力会提升。
|
| 申请公布号 |
TWI529724 |
申请公布日期 |
2016.04.11 |
| 申请号 |
TW102110527 |
申请日期 |
2013.03.25 |
| 申请人 |
群联电子股份有限公司 |
发明人 |
林纬;许佑诚;郑国义 |
| 分类号 |
G11C16/14(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
詹铭文;叶璟宗 |
| 主权项 |
一种NAND快闪记忆单元，包括：多个闸极层，其中该些闸极层中相邻的两个闸极层之间包括一第一介电层；以及一通道层，贯穿该些闸极层；一电荷捕捉层，贯穿该些闸极层，配置在该通道层与该些闸极层之间；一导体层，贯穿该些闸极层；以及一第二介电层，贯穿该些闸极层，其中该第二介电层是配置在该导体层与该通道层之间。
|
| 地址 |
苗栗县竹南镇群义路1号 |
