用于ＡＬＤ／ＣＶＤ方法的ＧＳＴ膜前驱物

摘要

明系利用选自由原子层沉积及化学气相沉积所组成的群组的方法制造锗-锑-碲合金(GST)或锗-铋-碲(GBT)膜的方法，其中把矽烷基锑前驱物当作该合金膜的锑来源使用。本发明也关于利用选自由原子层沉积及化学气相沉积所组成的群组的方法藉由其他元素制造锑合金的方法，其中把矽烷基锑或矽烷基铋前驱物当作锑或铋的来源使用。

主权项

一种用于将含锑膜制造于基材表面上之ALD方法，该方法包含下列步骤：把烷氧化锗当作前驱物引进沉积舱，其中该烷氧化锗系由式Ge(OR14)4来表示，其中R14系C1-C10烷基、C2-C10烯基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基或C4-C10芳香族基团，以形成烷氧化锗的分子层于该基材表面上；及把选自由下列所组成的群组之矽烷基锑前驱物引进该沉积舱：

在此R1-10个别为氢原子、C1-C10烷基、C2-C10烯基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基或C4-C10芳香族基团；R11及R12个别为C1-C10烷基或C3-C10烯基、C3-C10环烷基、C3-C10环烯基或C4-C10芳香族基团，以形成Sb层于该烷氧化锗的分子层顶部上，其中该Sb层包含矽烷基取代基。