| 摘要 |
Способ получения кремниевой структуры, включающий формирование на рабочей поверхности пластины-источника заданного рельефа, сборку композиции подложка-источник, нагрев композиции до температуры 750-1050°C, заполнение зазора между источником и подложкой раствором-расплавом в течение 5-10 мин через торец композиции и последующее перемещение раствора-расплава через источник в поле градиента температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, рельеф формируют в виде усеченных пирамид высотой 5-50 мкм и площадью вершины 100-3600 мкмс шагом 500-800 мкм, после нагрева торец композиции приводят в контакт с насыщенным раствором кремния в расплаве алюминия, а перед перемещением раствора-расплава композицию нагревают до 1100-1200°C и выдерживают при этой температуре в течение 2-5 мин. |
