| 摘要 |
Способ получения гетероструктур на основе кремния, включающий формирование кремниевой композиции из подложки и источника, установленных с зазором, их нагрев, введение в зазор расплава алюминия с образованием слоя раствора-расплава и зонную перекристаллизацию источника через этот слой под действием градиента температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения кристаллического совершенства эпитаксиального слоя по всей поверхности подложки, после образования раствора-расплава температуру повышают до 1100-1200°C, проводят выдержку в течение 2-5 мин, а зонную перекристаллизацию ведут при 700-1000°C и величине градиента температуры 20-100 град/см. |
