| 摘要 |
Способ получения кремниевых эпитаксиальных слоев р-типа проводимости, включающий создание узкого зазора между подложкой и пластиной-источником на основе поликристаллического кремния, нагрев системы до температуры эпитаксии, введение в зазор насыщенного при температуре эпитаксии раствора кремния в расплаве алюминия, изотермическую выдержку системы в поле градиента температуры до полной перекристаллизации материала источника на подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного сопротивления слоев, в качестве источника используют материал состава Si(BO), где x=90-95 мас.%, ширину зазора устанавливают в пределах 30-60 мкм, эпитаксию ведут в диапазоне температур 1320-1470 K, причем дополнительно изменяют среднюю температуру относительно выбранной температуры эпитаксии на 5-10 K, с частотой 0,06-1 Гц. |
