发明名称 WAFER POLISHING METHOD AND WAFER POLISHING DEVICE
摘要 더미(dummy) 연마에 의한 웨이퍼 로스(wafer loss)를 줄이고, 또한, 제품용의 웨이퍼의 LPD(Light Point Defect)의 수를 적은 레벨로 안정시키는 것이 가능한 실용적인 웨이퍼의 연마 방법을 제공한다. 본 발명의 웨이퍼의 연마 방법은, 정반(surface plate; 110)의 표면에 설치된 연마포(112)에 웨이퍼(104)를 접촉시켜, 정반(110) 및 웨이퍼(104)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(104) 표면을 연마하는 연마 처리를, 동일 연마포(112)에 의해 복수회 행한다. 그때, 연마포(112)의 접촉각을 측정하고, 그 측정값에 기초하여, 초기 연마(더미 연마) 공정으로부터 본 연마 공정으로의 전환 시기를 결정한다.
申请公布号 KR20160039255(A) 申请公布日期 2016.04.08
申请号 KR20167005150 申请日期 2014.06.24
申请人 SUMCO CORPORATION 发明人 KAWASAKI TOMONORI
分类号 H01L21/304;B24B37/34;B24B49/06;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/66;H01L21/67 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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