Verfahren zur Herstellung von mit Seltenerdelement dotiertem piezoelektrischen Material mit verschiedenen Mengen an Dotiermittel und einer ausgewählten C-Achsen Orientierung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines mit Seltenerdelement dotierten piezoelektrischen Materials, das eine erste Komponente, eine zweite Komponente und das Seltenerdelement aufweist. Das Verfahren beinhaltet Folgendes: Bereitstellen eines Substrats; anfängliches Strömen von Wasserstoff über dem Substrat; nach dem anfänglichen Strömen des Wasserstoffs über dem Substrat, Strömen der ersten Komponente zur Bildung des mit Seltenerdelement dotierten piezoelektrischen Materials über einer Oberfläche eines einzigen Targets, wobei das Target das Seltenerdelement in einem bestimmten Atomprozentsatz umfasst; und Sputtern des mit Seltenerdelement dotierten piezoelektrischen Materials von dem Target auf das Substrat.