銅、亜鉛、およびスズの硫化物を主成分とする吸収体の薄層の調製方法、アニールされた薄層、およびそれによって得られた光起電力装置

摘要

本発明は、モリブデン（Ｍｏ）で覆われた基板上に堆積された銅、亜鉛、およびスズの硫化物、好ましくはＣＺＴＳでできた吸収材料の粒子の薄層の所定の雰囲気下での二重アニール方法を行うことによる、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＳｎの硫化物、好ましくはＣＺＴＳから本質的になる吸収材料の大型グレインを有し、欠陥がより少なく、好ましくは改善された組成均一性および／または低い二次相含有量を有する緻密な結晶化薄層であって、前記Ｍｏ基板上に堆積された前記薄いアニールされた吸収層によって、その層を含む光起電力装置に、改善された光起電力特性が付与される、緻密な結晶化薄層を提供する。