METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

채널 형성 영역으로서 산화물 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터의 제작 방법을 개시한다. 본 발명은 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하는 공정; 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부가 노출되도록 상기 산화물 반도체층 위에 상기 산화물 반도체층에 접하여 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 공정; 및 상기 산화물 반도체층 위에 상기 산화물 반도체층에 접하여 산화물 절연막을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 산화물 반도체층의 노출 영역은 상기 산화물 절연막의 형성 전에 플라즈마 존재하에서 산소를 포함하는 가스에 노출될 수 있다. 본 방법에 의해 산소는 상기 산화물 반도체층 내에 확산하게 되어, 우수한 박막 트랜지스터 특성에 기여한다.