| 摘要 |
Verfahren zur Bearbeitung eines weniger als 200 μm dicken Wafers (4, 5) mit einem oder mehreren darin im Bereich einer Vorderseite des Wafers (4, 5) enthaltenen Halbleiterbauelementen, umfassend die folgenden, in der angegebenen Reihenfolge auszuführenden Schritte: – Anordnen des Wafers auf einem Chuck (9), wobei die Vorderseite des Wafers (4, 5) dem Chuck (9) zugewandt ist; – Herunterdünnen des Wafers (4, 5); – Metallisieren der Rückseite des Wafers (4, 5); – Aufbringen einer elektrisch leitenden Haftvermittlungsschicht (11) auf eine elektrisch leitende Trägerfolie (12), – Aufbringen der mit der Haftvermittlungsschicht (11) versehenen Trägerfolie (12) auf die Rückseite des Wafers (4, 5), wobei die Haftvermittlungsschicht zwischen der Trägerfolie (12) und der Rückseite des Wafers (4, 5) angeordnet wird. |
