| 摘要 |
본 발명은 질화갈륨 성장방법 및 이를 이용한 질화갈륨 기판 제조 방법으로서, 베이스 기판을 챔버의 반응 공간 상에 위치시키고 상기 반응 공간을 제1 성장 온도로 상승시킨 후, 갈륨클로라이드(GaCl) 가스와 암모니아(NH) 가스를 공급하여 상기 베이스 기판의 상부에 액체 갈륨방울(Ga droplet)들이 분산되어 분포된 제1 질화갈륨층을 형성하는 제1 단계; 상기 제1 성장 온도를 제2 성장 온도로 상승시키면서 갈륨클로라이드(GaCl) 가스와 암모니아(NH) 가스를 공급하여, 상기 제1 질화갈륨층의 상부에 제1 질화갈륨 연속층을 형성하는 제2 단계; 및 상기 제2 성장 온도에서 갈륨클로라이드(GaCl) 가스와 암모니아(NH) 가스를 공급하여, 상기 제1 질화갈륨 연속층의 상부에 제2 질화갈륨층을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장방법과 이를 이용하여 질화갈륨 기판을 제조하는 방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 질화갈륨을 성장시키는 공정 이외의 별도의 추가적인 공정을 제거함으로써 공정의 단순화하여 질화갈륨을 성장시키고 이를 통해 질화갈륨 기판을 제조할 수 있어 전체적인 생산 비용을 낮출 수 있게 된다. |
