| 发明名称 | 金属硅化物形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种金属硅化物形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底上具有栅区、源区和漏区；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在所述金属硅化物阻挡层上形成具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，并保留预设厚度的金属硅化物阻挡层，所述预设厚度为<img file="DDA0000081190670000011.GIF" wi="275" he="57" />以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀；去除所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；在所述衬底上形成金属硅化物。采用本发明所提供的金属硅化物形成方法，可减小器件的失效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102915918B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201110222841.3 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 孙晓峰;高永亮;丁海滨 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种金属硅化物形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有栅区、源区和漏区；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在所述金属硅化物阻挡层上形成具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，并保留预设厚度的金属硅化物阻挡层，所述预设厚度为<img file="FDA0000846491850000014.GIF" wi="287" he="75" />以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀，所述采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀的时间为180s；去除所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀，所述采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀的时间为60s；采用反溅射方法去除衬底上的自然氧化层；在所述衬底上形成金属硅化物；采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀过程中，刻蚀速率均为<img file="FDA0000846491850000011.GIF" wi="238" he="71" /> | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||