发明名称 一种高像素密度LED显示屏面板及其制作方法
摘要 本发明公开了一种高像素密度LED显示屏面板,包括电路板,所述电路板上按照像素排列贴装有若干覆晶LED芯片,所述覆晶LED芯片的正电极与所述电路板的电源正极电连接,所述覆晶LED芯片的负电极与所述电路板的电源负极电连接,所述电路板上罩设有透明面罩,所述透明面罩与所述电路板结合形成封闭的显示屏面板。本发明还公开了一种高像素密度LED显示屏面板的制作方法,本发明的高像素密度LED显示屏面板及其制作方法,像素密度高、能满足对像素密度要求较高的显示屏的要求,稳定性高,使用寿命长。
申请公布号 CN103426379B 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201310400949.6 申请日期 2013.09.05
申请人 张金枝 发明人 马友治
分类号 G09F9/33(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 G09F9/33(2006.01)I
代理机构 潍坊正信专利事务所 37216 代理人 王秀芝
主权项 一种高像素密度LED显示屏面板的制作方法,其特征在于,所述高像素密度LED显示屏面板包括电路板,所述电路板上按照像素排列贴装有若干裸露的覆晶LED芯片,所述覆晶LED芯片的正电极与所述电路板的电源正极电连接,所述覆晶LED芯片的负电极与所述电路板的电源负极电连接,所述电路板上罩设有透明面罩,所述透明面罩与所述电路板结合形成封闭的显示屏面板;所述高像素密度LED显示屏面板的制作方法包括以下步骤:a.准备符合像素密度要求的电路板;b.将裸露的覆晶LED芯片按照像素排列粘结固定于所述电路板上;c.使用共晶焊料将所述覆晶LED芯片的正电极与所述电路板的电源正极共晶焊接连接,将所述覆晶LED芯片的负电极与所述电路板的电源负极电连接;d.在所述电路板上设置透明面罩,所述电路板与所述透明面罩之间形成封闭的空腔;e.将所述电路板与所述透明面罩之间的封闭的空腔抽成真空,以保护裸露的覆晶LED芯片。
地址 266000 山东省青岛市李沧区十梅庵路26号