一种闪存器件

摘要

本发明公开的一种闪存器件，通过仅于漏端下方设置埋氧层，一方面利用二维电场的调制作用，使漏端附近的电场加强，电子空穴碰撞的几率增加，从而提高热载流子的产生几率，使得更多的电子变为热电子注入到浮栅中，极大的提高了器件的编程效率。另一方面碰撞电离产生的空穴可以通过埋氧层旁边的硅衬底流出去，从而避免了空穴的累积，彻底的消除了浮体效应，使器件的编程效率得到了稳定的控制。且由于本发明极大的提高了器件的编程效率，因此器件的编程电压可以降低，而较低的编程电压降低了电路的动态功耗，同时可以减弱漏端干扰的影响。

主权项

一种闪存器件，其特征在于，所述闪存器件包括存储单元阵列区，所述存储单元阵列区包括：第一衬底以及设置于所述第一衬底之上的第二衬底；位于所述第二衬底之上设置有若干存储单元，位于所述存储单元两侧的第二衬底内设置有源极和漏极；所述第一衬底的部分上表面还设置有一埋氧层，通过所述埋氧层将所述漏极和所述第一衬底予以隔离。