垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法

摘要

本公开提供一种垂直GaN基半导体二极管及其制造方法。GaN基II I-V族半导体装置包括：基底；p型欧姆电极层，在基底上；p型GaN基III-V族化合物半导体层，在p型欧姆电极层上；n型GaN基III-V族化合物半导体层，在p型GaN基III-V族化合物半导体层上；n型欧姆电极层，在n型GaN基III-V族化合物半导体层上。p型欧姆电极层是具有70%或更高的高反射率的Ag基高反射电极，n型GaN基III-V族化合物半导体层的表面经受形成光子晶体的工艺和表面粗糙化的工艺中的至少一种工艺。

主权项

一种垂直GaN基发光二极管，所述GaN基发光二极管包括：基底；p型欧姆电极层，布置在基底上；p型半导体层，布置在p型欧姆电极层上；n型半导体层，布置在p型半导体层上；n型欧姆电极层，布置在n型半导体层上；其中，p型欧姆电极层包括Ag基电极，n型半导体层在其表面上包括光子晶体和表面粗糙度，其中，以2μm的间距布置光子晶体，并且通过光化学蚀刻对包括Ag基电极和光子晶体的垂直GaN基发光二极管应用表面粗糙化。