用于耗尽模式硅调制器的超敏感移相器

摘要

本发明涉及新颖的移相器设计，它用于基于载流子耗尽机制的硅调制器，且它基于经过实验验证的模型。目前已经相信，以前被忽视的不完全电离的效果会对超敏感(ultra-responsive)移相器具有重大影响。预期将会观察到与值为20dB/cm的低传播损耗相关的值为0.3V·cm的低VπL乘积。所述移相器基于如下的重叠注入步骤：在这些步骤中，剂量和能量被仔细地选择以便利用反向掺杂来产生S形的结。这个结在实现了令人关注的低电容和低光学损耗的同时，还具有特别令人关注的VπL品质因数。这一改进将使得能够构建出明显更小的马赫-曾德尔调制器，但是该调制器依然会具有低的驱动电压且插入损耗显著降低。本发明所涉及的制造工艺的复杂程度最小；特别地，不需要高分辨率光刻步骤。

主权项

光学调制器半导体器件，其包括：光学波导，所述光学波导包括光学指数高于3的半导体；被制造于所述光学波导中的由半导体材料形成的p型区域，所述p型区域具有p型接触端子；以及被制造于所述光学波导中的由半导体材料形成的n型区域，所述n型区域具有n型接触端子，所述n型区域和所述p型区域具有非平面结界面，所述非平面结界面具有长度尺寸，这个非平面的普通结被构造成增大所述n型区域与所述p型区域之间的在所述结的所述长度尺寸的每单位长度上的结面积，由此提高当所述光学调制器半导体器件处于操作状态时所述光学波导中的光学模与所述结面积之间的重叠。