发明名称 基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑
摘要 本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑。半桥MMC自均压拓扑,由半桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。半桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6<i>N</i>个机械开关发生电气联系,机械开关闭合,两者构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑,机械开关打开,拓扑等效为半桥MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下,自均压辅助回路中的6<i>N</i>个机械开关可以省略,用导线替代,直接构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑。该半桥MMC自均压拓扑,不依赖于专门的均压控制,能够在完成直交流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现半桥MMC的基频调制。
申请公布号 CN105471260A 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201610047411.5 申请日期 2016.01.25
申请人 华北电力大学 发明人 许建中;赵成勇;刘航
分类号 H02M3/156(2006.01)I;H02J1/00(2006.01)I 主分类号 H02M3/156(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 基于等式约束的辅助电容分布式半桥MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的半桥MMC模型,A、B、C三相分别由2N个半桥子模块,2个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个机械开关,6N+7个钳位二极管,4个辅助电容C<sub>1</sub>、C<sub>2</sub>、C<sub>3</sub>、C<sub>4</sub>,4个辅助IGBT模块T<sub>1</sub>、T<sub>2</sub>、T<sub>3</sub>、T<sub>4</sub>构成的自均压辅助回路。
地址 102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号