一种新型鳍式场效应晶体管

摘要

本实用新型适用于晶体管，提供了一种新型鳍式场效应晶体管，包括衬底以及鳍式结构，鳍式结构由下至上依次包括：覆盖于衬底上具备高介电常数的第一绝缘层，其中部向上延伸出一鳍状凸起；覆盖于第一绝缘层上的有源层，其具有用于包裹鳍状凸起的第一包裹部；覆盖于有源层上的第二绝缘层，其具有第二包裹部；形成于第二绝缘层的第二包裹部两侧的漏极和源极；覆盖于第二绝缘层上用于包裹第二包裹部的栅极。本实用新型可以提高场效应晶体管的电学性能，如优异的迁移率，极低的漏电流，而且提供的鳍形结构增大了栅极对沟道的控制范围，用于电流控制，从而可以有效缓解平面器件中出现的短沟道效应，能够有效降低杂质离子散射效应，提高沟道载流子迁移率。

主权项

一种新型鳍式场效应晶体管，包括衬底以及位于衬底上的鳍式结构，其特征在于，所述鳍式结构由下至上依次包括：覆盖于所述衬底上具备高介电常数的第一绝缘层，所述第一绝缘层的中部向上延伸出一鳍状凸起；覆盖于所述第一绝缘层上的有源层，所述有源层具有用于包裹所述鳍状凸起的第一包裹部；覆盖于所述有源层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有用于包裹所述第一包裹部的第二包裹部；形成于所述第二绝缘层的第二包裹部两侧的漏极和源极；覆盖于所述第二绝缘层上用于包裹所述第二包裹部的栅极。