| 发明名称 | 半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体存储器及其制造方法。其中，一种半导体存储器包括：集成电路(IC)内的第一位单元、以及同一IC内的第二位单元。第一位单元具有第一布局，第二位单元具有不同于第一布局的第二布局。 | ||
| 申请公布号 | CN103310833B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201210592882.6 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体存储器，包括：集成电路(IC)内的第一位单元，所述第一位单元具有第一布局，所述第一布局包括：第一字线，设置在第一导电层中并且在第一方向上延伸；和多条位线，设置在第二导电层中并且在第二方向上延伸；以及在与所述第一位单元相同的所述IC内的第二位单元，所述第二位单元具有第二布局，所述第二布局包括：第二字线，设置在所述第二导电层中并且在所述第一方向上延伸；和多条位线，设置在所述第一导电层中并且在所述第二方向上延伸；其中，所述第一布局不同于所述第二布局。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||