发明名称 |
一种Bi/Al共掺石英光纤及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于原子层沉积(ALD)技术的Bi/Al共掺石英光纤及制备方法,属光纤技术领域。它由纤芯和包层组成,其特征在于所述纤芯是由Bi/Al/Ge共掺石英材料构成,所述包层为纯石英材料。本发明采用改进的化学气相沉积法(MCVD),在石英基管内沉积掺杂GeO<sub>2</sub>的二氧化硅疏松层,并将其半玻璃化;然后,利用ALD技术在基管内壁沉积氧化铋与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料;最后,利用MCVD技术高温缩棒处理,得到掺杂光纤预制棒,并将其光纤拉丝。本发明中石英光纤的结构简单、合理,掺杂材料具有均一分散性、浓度可控、且光纤发光效率高与增益谱宽等优点,可用于构建光纤激光器、光纤放大器、宽带光源及光纤传感等场合。 |
申请公布号 |
CN105467512A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201510941656.8 |
申请日期 |
2015.12.16 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
文建湘;王廷云;董艳华;刘文君;庞拂飞;陈振宜;郭强 |
分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 |
代理人 |
陆聪明 |
主权项 |
一种Bi/Al共掺石英光纤,包括纤芯(1)和包层(2),其特征在于,所述纤芯(1)包括外层的石英疏松层和中部的一定浓度均匀分布的Bi/Al共掺半导体材料,所述纤芯(1)位于包层(2)中间。 |
地址 |
200444 上海市宝山区上大路99号 |