发明名称 一种Bi/Al共掺石英光纤及其制备方法
摘要 本发明涉及一种基于原子层沉积(ALD)技术的Bi/Al共掺石英光纤及制备方法,属光纤技术领域。它由纤芯和包层组成,其特征在于所述纤芯是由Bi/Al/Ge共掺石英材料构成,所述包层为纯石英材料。本发明采用改进的化学气相沉积法(MCVD),在石英基管内沉积掺杂GeO<sub>2</sub>的二氧化硅疏松层,并将其半玻璃化;然后,利用ALD技术在基管内壁沉积氧化铋与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料;最后,利用MCVD技术高温缩棒处理,得到掺杂光纤预制棒,并将其光纤拉丝。本发明中石英光纤的结构简单、合理,掺杂材料具有均一分散性、浓度可控、且光纤发光效率高与增益谱宽等优点,可用于构建光纤激光器、光纤放大器、宽带光源及光纤传感等场合。
申请公布号 CN105467512A 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201510941656.8 申请日期 2015.12.16
申请人 上海大学 发明人 文建湘;王廷云;董艳华;刘文君;庞拂飞;陈振宜;郭强
分类号 G02B6/02(2006.01)I 主分类号 G02B6/02(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 陆聪明
主权项 一种Bi/Al共掺石英光纤,包括纤芯(1)和包层(2),其特征在于,所述纤芯(1)包括外层的石英疏松层和中部的一定浓度均匀分布的Bi/Al共掺半导体材料,所述纤芯(1)位于包层(2)中间。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号