SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

공핍형 MOS 트랜지스터와 증가형 MOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치에서, 회로의 추가로 인한 반도체 장치의 영역의 증가없이, 증가된 온도 특성 또는 아날로그 특성을 갖는 기준 전압 발생 회로를 제공하기 위해, 공핍형 MOS 트랜지스터와 증가형 MOS 트랜지스터에 서로 다른 농도를 갖는 웰 영역이 형성된다.