半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构包括嵌设在基板中的背侧虚设插塞。背侧虚设插塞可为导电结构以提高半导体结构的垂直导热性并使基板的贯通基板通路（TSV）中的信号不电耦合。背侧虚设插塞可包括空腔以允许基板中其他部件的体积变化，由此在半导体芯片的热循环和运行期间减小了基板中的机械应力。包括空腔的背侧虚设插塞可由绝缘材料或导电材料形成。本发明的结构可用于形成具有垂直芯片集成的三维结构，其中晶片间的导热性被提高了，通过TSV的信号间的串扰被减小了，并且/或者对TSV的机械应力被减小了。

主权项

一种半导体结构，包括：基板，包括半导体层和互连介电层，其中至少一个半导体器件设置在所述半导体层和所述互连介电层之间的界面处；贯通基板通路(TSV)结构，嵌设在所述基板中，所述贯通基板通路(TSV)结构包括导电材料且至少从所述界面延伸到所述基板的背侧表面；以及至少一个背侧虚设插塞，嵌设在所述基板中，所述至少一个背侧虚设插塞从所述背侧表面延伸进入到所述基板中并达到一深度，其中所述深度小于所述背侧表面和所述界面之间的垂直距离，所述至少一个背侧虚设插塞不接触包括或连续延伸到一导电部的任何导电结构，该导电部比所述深度远离所述背侧表面其中所述至少一个背侧虚设插塞电接地或被提供恒定的偏压。