发明名称 |
存储器及其冗余替代方法 |
摘要 |
本发明提供了一种存储器及其冗余替代方法,所述冗余替代方法包括:设置数据读取的基准工作电压,并检测在基准读取时间内数据读取失败的工作单元;使用冗余单元对数据读取失败的工作单元进行同址替代;重新检测各工作单元的数据读取是否失败;在工作单元未有数据读取失败时,调节施加的工作电压使其小于基准工作电压,并且在基准读取时间内各工作单元未有数据读取失败时,将调节后的工作电压作为所述存储器的数据读取电压。本发明利用存储器中的冗余单元将部分工作单元替换,使得各个存储单元所需的工作电压降低,从而有效地降低了存储器在进行读取操作时的功耗。 |
申请公布号 |
CN102436841B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201110379680.9 |
申请日期 |
2011.11.24 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
杨光军 |
分类号 |
G11C7/06(2006.01)I;G11C29/24(2006.01)I |
主分类号 |
G11C7/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种存储器,包括包含多个存储单元的存储阵列以及外围电路,其特征在于,所述存储单元包括工作单元以及冗余单元,所述工作单元用于数据的存储,所述冗余单元与工作单元的器件结构相同,并与位线以及字线连接,作为所述工作单元的备份;所述外围电路包括读取控制单元,用于在工作单元的读取时间大于基准读取时间时,将所述工作单元替代为冗余单元;所述在工作单元的读取时间大于基准读取时间时,将所述工作单元替代为冗余单元,包括:设置数据读取的基准工作电压,并检测在基准读取时间内数据读取失败的工作单元;使用冗余单元对数据读取失败的工作单元进行同址替代;重新检测各工作单元的数据读取是否失败;在工作单元未有数据读取失败时,调节施加的工作电压使其小于基准工作电压,并且在基准读取时间内各工作单元未有数据读取失败时,将调节后的工作电压作为所述存储器的数据读取电压;其中,所述调节施加的工作电压使其小于基准工作电压包括:逐渐降低施加的工作电压,并对工作单元进行检测,直至出现在基准读取时间内数据读取失败的工作单元;使用冗余单元对数据读取失败的工作单元进行同址替代;重新检测各工作单元的数据读取是否失败,在工作单元未有数据读取失败时,将当前工作电压作为所述存储器的数据读取电压;返回执行所述逐渐降低施加的工作电压,并对工作单元进行检测,直至出现在基准读取时间内数据读取失败的工作单元的步骤,直至将部分或全部的冗余单元替代为工作单元。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |