发明名称 |
一种LED外延片生长方法 |
摘要 |
一种LED外延片生长方法,在生长N型掺杂Si的GaN层时,采用掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层交替生长方法。该生长方法保持原来N型GaN层的厚度,将传统生长方法持续生长的掺杂Si的GaN层改进为生长掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层,在一定程度上节约掺杂剂的用量。并且,在生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构中,掺杂Si的GaN层为低电阻值,而不掺杂Si的GaN层为高电阻值,高、低电阻值N型GaN层在电流输送过程中,使得电子横向扩展能力加强,从而降低了驱动电压,同时提升了亮度和光效。 |
申请公布号 |
CN103107255B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201210563126.0 |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
湘能华磊光电股份有限公司 |
发明人 |
苗振林;张宇;牛凤娟 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
长沙七合源专利代理事务所(普通合伙) 43214 |
代理人 |
欧颖 |
主权项 |
一种LED外延片生长方法,其特征在于,在衬底上,依次生长低温GaN缓冲层,不掺杂Si的GaN层,掺杂Si的GaN层,量子阱MWQ,P型AlGaN层和掺杂Mg的P型GaN层,其中所述生长掺杂Si的GaN层包括以下步骤:1)生长掺杂Si的第一N型GaN层;2)生长掺杂Si的第二N型GaN层;3)生长掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层的交替层,其中,所述第三N型GaN层的厚度为5‑10nm,所述不掺杂Si的U型GaN层的厚度为2‑4nm。 |
地址 |
423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 |