一种电机低频驱动控制算法

摘要

一种电机低频驱动控制算法，首先构建可控硅驱动控制电机装置，即通过反向并联的第一可控硅VT1和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组，A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接，B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接，C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接，另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压。这样的结构避免了现有技术的电流也均不连续、在低频时电机发热较严重的缺陷。

主权项

一种电机低频驱动控制算法，其特征在于，步骤如下：步骤1：首先构建可控硅驱动控制电机装置，即通过反向并联的第一可控硅VT1和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组，A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接，B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接，C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接，另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压；步骤2：根据电机等效数学模型，得到如公式(1)所示的等式：$T_e=\frac{P_e}{{\Omega }_1}=\frac{1}{{\Omega }_1}*\frac{3U_1^2*R_2^{/}/s}{{(R_1+R_2^{/}/s)}^2+{(X_{1\sigma }+X_{2\sigma }^{/})}^2}---\left(1\right)$其中：Te：转矩，Pe：电机功率，Ω₁：电源角速度，R₁：电机定子阻抗X_1σ：电机定子漏抗，电机转子等效阻抗，电机转子等效感抗，S：转差率，U₁为定子绕组端电压，由公式(1)计算得出：转矩与电压，转差率关系，根据此关系进行软起动器变频控制，具体如下：当需要输出设定频率时，通过采集外部的电压相位信号，电流信号，功率因数角，进入内部所述的电机等效数学模型，通过模糊计算，得出在该相位点应该触发几号硅(VT1～VT6)，根据等式U₁≈E₁＝4.44×f₁×N₁×φ₁×K_w1，其中f1为电源频率，N1为定子绕组每相串联匝数，K_w1为基波绕组系数，Φ1为电机每极磁通量，凭借频率下降，E1也要下降，即E1/f1＝常数，否则电机会过磁，引起震动和发热，由该公式计算电机在该相位需要多大的起动电压，从而转化成可控硅的触发角，Eg：设定频率触发，E1也因减半，满足E1/f1＝常数，实测电压，功率因数角，触发等效波形的面积也应减半，满足E1也因减半。