| 发明名称 | 一种VDMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种VDMOS器件及其制作方法。该方法包括，在已经形成栅极的晶元正面采用化学气相淀积的方法沉积介质层，使得所述介质层在所述栅极侧壁形成的侧墙达到预定厚度，所述预定厚度是根据需要的阈值电压确定的；利用每两个相对的所述侧墙作为掩膜窗口，进行P+杂质注入。本发明实施例能够根据需要制作具有不同阈值电压的VDMOS器件，提高了阈值电压的可调节范围，并且不会使沟道电阻变大或者N+/P-结过早穿通。 | ||
| 申请公布号 | CN105470297A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201410456905.X | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 刘竹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在已经形成栅极的晶元正面采用化学气相淀积的方法沉积介质层，使得所述介质层在所述栅极侧壁形成的侧墙达到预定厚度，所述预定厚度是根据需要的阈值电压确定的；利用每两个相对的所述侧墙作为掩膜窗口，进行P+杂质注入。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||