一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法

摘要

本发明公开了一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法，1)制作完成砷化镓基HEMT器件有源区；2)然后采用光刻、刻蚀的方法在化合物半导体衬底片正面形成背孔，并采用电镀等方式制作背金工艺，完成器件制作；3)将砷化镓衬底与临时衬底片进行粘附；4)对化合物基半导体衬底片进行减薄、抛光、直到化合物基衬底厚度减薄到100微米；5)采用等离子体刻蚀的方式，刻蚀衬底背面，直到背孔区域露出背金；6)最后在砷化镓背面电镀背金，完成砷化镓基 HEMT器件。

主权项

一种制作砷化镓基 HEMT器件背孔的方法，其包括如下步骤：(1)在砷化镓基外延材料层上制作完成HEMT器件有源区；(2)然后采用光刻、刻蚀的方法在化合物半导体衬底片正面形成所需封装器件的背孔，刻蚀到60‑100微米深，并采用电镀等方式制作背金工艺，完成器件制作；(3)在砷化镓半导体衬底片正面涂光刻胶；(4)在临时衬底片上涂抹高温蜡；(5)将砷化镓半导体衬底与临时衬底片进行粘附；(6)对砷化镓基半导体衬底片进行快速减薄、慢速减薄、抛光、直到化合物基衬底厚度减薄到100微米；(7)采用等离子体刻蚀的方式，刻蚀衬底背面，直到背孔区域露出背金；(8)将背面用稀盐酸清洗干净；(9)最后采用溅射法在背面溅射TiAu作为起镀金属，采用化学电镀的方法在背面电镀软金30微米，完成既有背孔背金，又有有源区热沉的GaAs HEMT器件。