| 发明名称 | 半导体微量分析芯片和制造它的方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，一种用于检测样品液体中的颗粒的半导体微量分析芯片包括：半导体基底；流动沟槽，其设置在所述半导体基底的表面部分上以允许样品液体在其中流动，并且包括用于覆盖至少所述流动沟槽的上部的帽层；设置在所述流动沟槽的一部分处以允许在所述样品液体中的所述颗粒从其中通过的微孔；和设置在所述帽层中的多个孔。 | ||
| 申请公布号 | CN105473995A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201480046019.8 | 申请日期 | 2014.07.24 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小林贤太郎;古山英人 |
| 分类号 | G01N15/12(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I;G01N37/00(2006.01)I;C12M1/34(2006.01)I | 主分类号 | G01N15/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 刘兴鹏 |
| 主权项 | 一种用于检测样品液体中的颗粒的半导体微量分析芯片，包括：半导体基底；设置在所述半导体基底的表面部分上以允许所述样品液体在其中流动的流动沟槽，至少所述流动沟槽的上部由帽层覆盖；设置在所述流动沟槽的一部分处以允许在所述样品液体中的所述颗粒从其中通过的微孔；和设置在所述帽层中的多个孔。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||