发光装置芯片封装物及支撑结构的形成方法

摘要

本发明提供一种发光装置芯片封装物及支撑结构的形成方法，该发光装置芯片封装物包括：发光装置芯片；以及支撑结构，其中该发光装置芯片设置于该支撑结构之上，且其中该支撑结构具有用于提供该发光元件芯片的电性连结的一第一组贯穿硅介层物以及用于提供该发光元件芯片散热的一第二组贯穿硅介层物，其中该第一组贯穿硅介层物依照一第一图案密度的一第一图案而设置为，而该第二组贯穿硅介层物依照一第二图案密度的一第二图案设置，而其中该第一组贯穿硅介层物与该第二组贯穿硅介层物具有一相同深度。于本发明中描述的图案(或布局)与图案密度提供了可于蚀刻后具有较少微负载效应以及具有良好的芯片内均匀度的贯穿硅介层物的布局。

主权项

一种发光装置芯片封装物，包括：该发光装置芯片；一支撑结构；一N接触物与一P接触物，分隔地设置于该支撑结构之上，其中该发光装置芯片设置于该N接触物之上但未覆盖该p接触物；以及一焊线，连接于该发光装置芯片与该P接触物；其中该支撑结构具有用于提供该发光元件芯片的电性连结的一第一组贯穿硅介层物以及用于提供该发光元件芯片散热的一第二组贯穿硅介层物，其中该第一组贯穿硅介层物依照一第一图案密度的一第一图案而设置，而该第二组贯穿硅介层物依照一第二图案密度的一第二图案设置，而其中该第一组贯穿硅介层物与该第二组贯穿硅介层物具有一相同深度，其中该第一图案密度高于该第二图案密度，该第一图案密度与该第二图案密度间具有介于0.1‑5％的绝对值的一差值，以降低该第一组贯穿硅介层物的边缘效应，且该N接触物或该P接触物实体接触了该第二组贯穿硅介层物以及该第一组贯穿硅介层物。