| 发明名称 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。使形成于衬底上的膜的特性提高，并且使制造生产率提高。收容衬底的处理室；第一处理气体供给部，向所述衬底供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向所述衬底供给第二处理气体；气化器剩余量测量部，测量设置于所述第一处理气体供给部的气化器内的所述第一处理气体原料的剩余量；控制部，构成为根据所述气化器剩余量测量部测量的所述剩余量，变更供给所述第一处理气体和所述第二处理气体的循环数。 | ||
| 申请公布号 | CN105470164A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201510532154.X | 申请日期 | 2015.08.26 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 芦原洋司;大桥直史 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种衬底处理装置，具有：收容衬底的处理室；第一处理气体供给部，向所述衬底供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向所述衬底供给第二处理气体；气化器剩余量测量部，测量设置于所述第一处理气体供给部的气化器内的所述第一处理气体原料的剩余量；控制部，其构成为根据所述气化器剩余量测量部测量的所述剩余量，变更供给所述第一处理气体和所述第二处理气体的循环数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||