使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻

摘要

提供了通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻硅层的方法和装置。所述硅层放置于蚀刻室中。提供包括含氟气体和含氧、氢气体的蚀刻气体进入所述蚀刻室。由所述蚀刻气体产生等离子体，使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层中。然后停止所述蚀刻气体。所述等离子体可含有OH自由基。

主权项

使用放置有硅层的蚀刻室，通过在该硅层上形成的图案化掩模蚀刻该硅层的方法，所述方法包括：提供上面有图案化掩模的硅层；提供包括含氟气体和含氧、氢气体的蚀刻气体进入所述蚀刻室,该蚀刻室中已放置有所述硅层；由所述蚀刻气体产生等离子体；使用所述等离子体通过所述图案化掩模蚀刻特征到所述硅层中；以及停止所述蚀刻气体，其中所述含氧、氢气体包含水蒸气，所述含氟气体包含SF₆，以及其中H₂O相对于SF₆的流率大于0.24。