发明名称 半导体物理量传感器
摘要 半导体物理量传感器(10)具备:第1基材(20);电极(60),其被形成在第1基材(20)上;隔膜(50),其根据从外部施加的物理量而弯曲;第2基材(30),其将隔膜(50)支承为相对于电极(60)而隔着空间(S)相对,并且该第2基材被固定于第1基材(20);和绝缘体(40),其被形成在隔膜(50)的第1基材(20)侧的面(50a)。并且,在绝缘体(40)与电极(60)之间形成了划分出空间(S)的壁部(41)。
申请公布号 CN105474404A 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201480045444.5 申请日期 2014.08.08
申请人 松下知识产权经营株式会社 发明人 片冈万士;荻原淳;牛山直树;城石久德
分类号 H01L29/84(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I 主分类号 H01L29/84(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 齐秀凤
主权项 一种半导体物理量传感器,具备:第1基材;电极,其被形成在所述第1基材上;隔膜,其根据从外部施加的物理量而弯曲;第2基材,其将所述隔膜支承为隔着空间而与所述电极相对,并且该第2基材被固定于所述第1基材;和绝缘体,其被形成在所述隔膜的所述第1基材侧的面,在所述绝缘体与所述电极之间形成有划分出所述空间的壁部。
地址 日本国大阪府