发明名称 |
半导体物理量传感器 |
摘要 |
半导体物理量传感器(10)具备:第1基材(20);电极(60),其被形成在第1基材(20)上;隔膜(50),其根据从外部施加的物理量而弯曲;第2基材(30),其将隔膜(50)支承为相对于电极(60)而隔着空间(S)相对,并且该第2基材被固定于第1基材(20);和绝缘体(40),其被形成在隔膜(50)的第1基材(20)侧的面(50a)。并且,在绝缘体(40)与电极(60)之间形成了划分出空间(S)的壁部(41)。 |
申请公布号 |
CN105474404A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201480045444.5 |
申请日期 |
2014.08.08 |
申请人 |
松下知识产权经营株式会社 |
发明人 |
片冈万士;荻原淳;牛山直树;城石久德 |
分类号 |
H01L29/84(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/84(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
齐秀凤 |
主权项 |
一种半导体物理量传感器,具备:第1基材;电极,其被形成在所述第1基材上;隔膜,其根据从外部施加的物理量而弯曲;第2基材,其将所述隔膜支承为隔着空间而与所述电极相对,并且该第2基材被固定于所述第1基材;和绝缘体,其被形成在所述隔膜的所述第1基材侧的面,在所述绝缘体与所述电极之间形成有划分出所述空间的壁部。 |
地址 |
日本国大阪府 |