基于接触起电的背栅场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种基于接触起电的背栅场效应晶体管。该背栅场效应晶体管包括：导电基底；绝缘层，形成于导电基底的正面；场效应晶体管组件，包括：沟道层、漏极、源极和栅极；以及摩擦发电组件，包括：静止摩擦层，形成于栅极的下表面；可移动摩擦层，与静止摩擦层隔开预设距离相对设置；以及第二导电层，形成于可移动摩擦层的外侧，其电性连接至源极；其中，静止摩擦层和可移动摩擦层位于摩擦电极序的不同位置，在外力的作用下，静止摩擦层和可移动摩擦层能够在分离状态和接触状态之间往复切换。本发明利用摩擦发电机产生的静电势作为背栅场效应晶体管的门极门信号，实现对半导体中载流子输运特性的调控。

主权项

一种基于接触起电的背栅场效应晶体管，其特征在于，包括：导电基底(10)；绝缘层(20)，形成于所述导电基底(10)的正面；场效应晶体管组件(30)，包括：沟道层(31)，形成于所述绝缘层(20)的上方；漏极(32)和源极(33)，形成于所述沟道层(31)的上方，两者之间隔开预设距离，并保持预设的电势差；栅极(34)，形成于所述导电基底(10)的背面；以及摩擦发电组件(40)，包括：静止摩擦层(41)，形成于所述栅极(34)的下表面；可移动摩擦层(42)，与所述静止摩擦层(41)隔开预设距离相对设置；以及第二导电层(44)，形成于所述可移动摩擦层(42)的外侧，其电性连接至所述源极(33)；其中，所述静止摩擦层(41)和可移动摩擦层(42)位于摩擦电极序的不同位置，在外力的作用下，所述静止摩擦层(41)和可移动摩擦层(42)能够在分离状态和接触状态之间往复切换。